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NXP Semiconductors
Quadruple ESD transient voltage
suppressor
THERMAL CHARACTERISTICS
Product data sheet
BZA418A
SYMBOL
R th j-s
PARAMETER
thermal resistance from junction to soldering point
CONDITIONS
one or more diodes loaded
VALUE
125
UNIT
K/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
T j = 25 ° C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
Per diode
V Z
V F
working voltage
forward voltage
I Z = 1 mA
I F = 200 mA
17.1
?
18
?
18.9
1.3
V
V
V ZSM
non-repetitive peak reverse voltage I ZSM = 0.7 A; t p = 1 ms
?
?
27
V
I R
r dif
S Z
reverse current
differential resistance
temperature coefficient of working
V R = 14 V
I Z = 1 mA
I Z = 5 mA
?
?
?
?
?
14.4
75
125
?
nA
?
mV/K
voltage
C d
diode capacitance
see Fig.5
V R = 0; f = 1 MHz
?
?
48
pF
2002 Sep 02
V R = 13 V; f = 1 MHz ?
3
?
14
pF
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